MOSFET知识小结

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MOSFET知识小结

2024-07-12 17:46| 来源: 网络整理| 查看: 265

MOSFET知识小结 MOSFET的基础知识

参见百度百科 :场效应管

MOSFET的驱动 专用IC驱动

优点:电路集成度高,驱动能力强,使用简单 缺点:成本高 适用范围:非典型应用,如NMOS的高边驱动;驱动电流要求高的情况。 注意事项:

使用IC芯片时也需要注意被驱动的MOSFET参数,如关断电压、寄生电容等。驱动IC也有可能存在驱动能力不足的情况,此时需要用图腾柱驱动电路加大驱动(电流)负载能力,有关图腾柱电路及其优化,参见链接link。 常见芯片:TI LM5050MK,Infineon IR2110STRPBF NMOS驱动 低边应用(常用) 先看被驱动NMOS的VGS,常见VGS推荐电压值为10~12V,现在VGS达到4.5V一般都能使源极、漏极导通。需要注意的是VGS在不同电压情况下导通电阻会不一致,这会限制DS的电流负载能力。 1.1 如果VGS在4.5V或者3V能够开启MOS管,IC的驱动能力也能够满足要求,可以直接驱动。 1.2 如果需要VGS需要10~12V驱动电压,电路中存在高于驱动电压的电源,可以利用分压电路作为驱动,下图中器件选型需要根据实际情况灵活调整。 MOS管驱动电路高边应用 参考nmos高端驱动自举电路 拾人牙慧,自己画了一个。 高边NMOS驱动电路开关加速 上图中Q7的应用就是加速部分的电路。我自己总结的经验是NMOS用PNP加速,PMOS用NPN加速,BE之间用二极管隔离。 有时间补上一个PMOS的驱动加速电路。 电路评价

一个好的MOSFET驱动电路主要有以下五种要求:

1、开关管开通瞬时,驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值,保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。【在开关电源的应用中,驱动MOS管的电流瞬时能达到几个安培。】

2、开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。【图腾柱或者叫推挽电路的合理设计是关键,有一些优化变种形式。】有关图腾柱驱动电路的可参考下面的链接: 图腾柱与互补推挽电路一样吗?药丸哥一起带你深入分析电路! 图腾柱电路工作原理

3、关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断。【对于PWM输出,干脆的驱动信号有助于实现PID的精准控制】

4、驱动电路结构简单可靠、损耗小。【有关MOS管的损耗,导通损耗,开关损耗等以后有机会再写,这一部分可以结合TI LM5117的datasheet学习MOS管的使用】

5、根据情况施加隔离。



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